碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成sic的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-sic；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-sic转变成α-sic，α-sic晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，sic开始分解变为硅蒸汽和石墨。

由于碳化硅的硬度---，可制备成各种磨削用的砂轮，砂布，砂纸以及各类磨料，广泛应用于机械加工行业。工业碳化硅主要作磨料用，黑色碳化硅制成的磨具，多用于切割和研磨抗张强度低的材料，如玻璃，陶瓷，石料和耐火物等。同时也用于铸铁零件和有色金属材料的磨削。绿碳化硅制成的磨具，多用于硬质合金，钛合金，光学玻璃的磨削。

碳化硅（sic）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其---的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。